NDSH40120C-F155

onsemi
863-NDSH40120C-F155
NDSH40120C-F155

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
46 A
1.2 kV
1.75 V
195 A
9 uA
- 55 C
+ 175 C
1.2 kV
NDSH40120C-F155
Tube
Marke: onsemi
Pd - Verlustleistung: 366 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: EliteSiC
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Datenblatt

Konformitätscodes
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
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NDSH40120C-F155 Siliziumkarbid Schottky Diode

Die NDSH40120C-F155 Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode von onsemi bietet im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit. Der NDSH40120C-F155 verfügt über keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine ausgezeichnete thermische Leistung. Diese EliteSiC Diode bietet einen positiven Temperaturkoeffizienten und eine einfache Parallelschaltung. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein Hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine reduzierte Systemgröße und -kosten. Zu den Applikationen gehören Universal-Applikationen, SNT, Solar-Wechselrichter, USV und Leistungsschaltkreise.

D3 EliteSiC-Dioden

onsemi D3 EliteSic-Dioden sind eine Lösung für Applikationen, die eine Hochleistungs-PFC und Ausgangsgleichrichtung erfordern. Die D3 von onsemi verfügt über eine maximale Nennspannung von 1.200 V. Diese Dioden sind in zwei Gehäuseoptionen, TO-247-2LD und TO-247-3LD verfügbar und bieten Flexibilität für verschiedene Designs. Die D3 EliteSiC-Dioden sind für einen Hochtemperaturbetrieb mit niedriger Temperaturabhängigkeit des Serienwiderstands optimiert und gewährleisten eine konsistente und zuverlässige Leistung selbst unter extremen Bedingungen.

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