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NDSH40120C-F155

Name: onsemi NDSH40120C-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH40120C-F155
Price: 12.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NDSH40120C-F155

Herst.- Nr.:

NDSH40120C-F155

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L

Datenblatt:

NDSH40120C-F155 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	46 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.75 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	195 A
Ir - Sperrstrom:	9 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	NDSH40120C-F155
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Pd - Verlustleistung:	366 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV

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Datenblatt

NDSH40120C-F155 Datenblatt

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

NDSH40120C-F155 Siliziumkarbid Schottky Diode

Die NDSH40120C-F155 Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode von onsemi bietet im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit. Der NDSH40120C-F155 verfügt über keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine ausgezeichnete thermische Leistung. Diese EliteSiC Diode bietet einen positiven Temperaturkoeffizienten und eine einfache Parallelschaltung. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein Hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine reduzierte Systemgröße und -kosten. Zu den Applikationen gehören Universal-Applikationen, SNT, Solar-Wechselrichter, USV und Leistungsschaltkreise.

D3 EliteSiC-Dioden

onsemi D3 EliteSic-Dioden sind eine Lösung für Applikationen, die eine Hochleistungs-PFC und Ausgangsgleichrichtung erfordern. Die D3 von onsemi verfügt über eine maximale Nennspannung von 1.200 V. Diese Dioden sind in zwei Gehäuseoptionen, TO-247-2LD und TO-247-3LD verfügbar und bieten Flexibilität für verschiedene Designs. Die D3 EliteSiC-Dioden sind für einen Hochtemperaturbetrieb mit niedriger Temperaturabhängigkeit des Serienwiderstands optimiert und gewährleisten eine konsistente und zuverlässige Leistung selbst unter extremen Bedingungen.