Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

MRFE6VP61K25HR5

Name: NXP MRFE6VP61K25HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP61K25HR5
Price: 345.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

841-MRFE6VP61K25HR5

Herst.- Nr.:

MRFE6VP61K25HR5

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren VHV6 1.25KW ISM NI1230H

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

MRFE6VP61K25HR5 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 88

Lagerbestand:: 88 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 53 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 345.34	CHF 345.34
	CHF 298.53	CHF 2’985.30
	CHF 286.86	CHF 7’171.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
	CHF 279.80	CHF 13’990.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	133 V
Betriebsfrequenz:	1.8 MHz to 600 MHz
Verstärkung:	24 dB
Ausgangsleistung:	1.25 kW
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	NI-1230H-4
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	NXP Semiconductors
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	28 S
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Pd - Verlustleistung:	1.333 kW
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFE6VP61K25H
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Artikel # Aliases:	935314411178
Gewicht pro Stück:	13.155 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

MRFE6VP61K25HR5 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor

NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.