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CGHV27030S

Name: MACOM CGHV27030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV27030S
Price: 63.45 CHF
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

941-CGHV27030S

Herst.- Nr.:

CGHV27030S

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Datenblatt:

CGHV27030S Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Preis (CHF)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 63.45	CHF 63.45
	CHF 51.23	CHF 512.30
	CHF 45.78	CHF 4'578.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 45.78	CHF 11'445.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-12
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.6 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	12 W
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Verstärkung:	21 dB
Maximale Drain-Gate-Spannung:	50 V
Maximale Betriebsfrequenz:	2.7 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	30 W
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V, 2 V
Gewicht pro Stück:	282.130 mg

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Datenblatt

CGHV27030S Datenblatt (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV27030S GaN-HEMT

Der 30 W Gallium-Nitrid (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) CGHV27030S von Wolfspeed bietet hohe Bandbreitenkapazitäten sowie einen hohen Wirkungsgrad mit hoher Verstärkung. Im Betrieb bei 6,0 GHz Gleichstrom bietet der CGHV27030S eine Verstärkung von 21 dB, -36 dBc ACLR und 32 % Wirkungsgrad bei 5 W PAVE. Der Transistor kann entweder mit einer 28 V- oder einer 50 V-Schiene betrieben werden. Der CGHV27030S kann auch einen hohen Grad von ADP- und DPD-Korrektur anwenden. Der GaN-HEMT CGHV27030S eignet sich gut für 700–960 MHz, 1.200–1.400 MHz, 1.800–2.200 MHz, 2.500–2.700 MHz und 3.300–3.700 MHz Telekommunikationsapplikationen, die sowohl mit 28 V als auch 50 V betrieben werden können. Das Gerät ist auch ideal für 20–2500 MHz taktische Kommunikationsapplikationen, L-Band-Radar und S-Band-Radar.
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