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NVTYS020N08HLTWG

Name: onsemi NVTYS020N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTYS020N08HLTWG
Price: 1.52 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVTYS020N08HLTWG

Herst.- Nr.:

NVTYS020N08HLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVTYS020N08HLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	12 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	42 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	35 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24.3 mOhms
Serie:	NVTYS020N08HL
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.8 ns

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Datenblatt

NVTYS020N08HLTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVTYS020N08HL Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVTYS020N08HL Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET von 80 V, 20 mΩ und 30 A, der mit einem kompakten und effizienten Design für eine hohe thermische Leistungsfähigkeit ausgelegt ist. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(ON) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Der NVTYS020N08HL Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET eignet sich für den Batterie-Verpolungsschutz, Leistungsschalter, Schaltnetzteile und andere Fahrzeuganwendungen.

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NVTYS020N08HLTWG

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

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