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STWA70N65DM6

Name: STMicroelectronics STWA70N65DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA70N65DM6
Price: 11.99 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STWA70N65DM6

Herst.- Nr.:

STWA70N65DM6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Datenblatt:

STWA70N65DM6 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	125 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	450 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	52 ns
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	107 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30.4 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

STWA70N65DM6 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STWA70N65DM6 68-A-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 650 V

Der STWA70N65DM6 68-A-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 650 V ist eine schnelle MDmesh-DM6-Freilaufdiode in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung. Der STWA70N65DM6 kombiniert eine sehr niedrige Verzögerungsladung (Q_rr), eine sehr niedrige Recoveryzeit (t_rr ) und einen hervorragenden Drain-Source-On-Widerstand (R_DS(on)) pro Bereich mit einem Schaltverhalten mit hohem Wirkungsgrad. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet sich dieses Bauteil hervorragend für anspruchsvolle Brückentopologien mit hohem Wirkungsgrad und ZVS-Phasenverschiebungswandlern (Nullspannungsschaltung, ZVS).