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DI2579N

Name: Diotec Semiconductor DI2579N
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI2579N
Price: 0.39 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DI2579N

Herst.- Nr.:

DI2579N

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN

Datenblatt:

DI2579N Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.397	CHF 0.40
	CHF 0.31	CHF 3.10
	CHF 0.187	CHF 18.70
	CHF 0.184	CHF 92.00
	CHF 0.178	CHF 178.00
	CHF 0.158	CHF 316.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)
	CHF 0.148	CHF 592.00
	CHF 0.106	CHF 848.00
	CHF 0.103	CHF 2'472.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-223
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	1 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	700 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	9 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1 V
Pd - Verlustleistung:	1.25 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	0 Hz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diotec Semiconductor
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC Stromverstärkung hFE max.:	20
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors
Handelsname:	DI2579N
Gewicht pro Stück:	200 mg

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Datenblatt

DI2579N Datenblatt (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

DI2579N SMD–HOCHSPANNUNGS–NPN–TRANSISTOREN

Diotec Semiconductor DI2579N SMD Hochspannung–NPN–Transistoren bieten eine hohe Kollektor–Emitter–Spannung in Verbindung mit einer niedrigen Sättigungsspannung. Die Bauteile weisen eine Kollektor–Emitter–Spannung von 700 V, einen Kollektorstrom von 1 A und eine Verlustleistung von 1,25 W auf. Die Diotec Semiconductor DI2579N SMD–Hochspannungs–NPN–Transistoren sind ideal für Signalverarbeitung, Schaltung, Verstärkung und kommerzielle Applikationen.