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SQSA12CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQSA12CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQSA12CENW-T1_GE3
Price: 1.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQSA12CENW-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQSA12CENW-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SQSA12CENW-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.07	CHF 1.07
	CHF 0.673	CHF 6.73
	CHF 0.446	CHF 44.60
	CHF 0.349	CHF 174.50
	CHF 0.316	CHF 316.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.276	CHF 828.00
	CHF 0.256	CHF 1'536.00
	CHF 0.25	CHF 2'250.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8W
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	22 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	31 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	62.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	47 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	SQS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

SQSA12CENW-T1_GE3 Datenblatt

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQSA12CENW 100-V-Automotive-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SQSA12CENW 100-V-Automotive-n-Kanal-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter TrenchFET^®-Leistungs-MOSFET. Der SQSA12CENW MOSFET verfügt über einen 18-A-I_D-, 100-V-V_DS- und 0,022-Ω-R_DS(on). Der SQSA12CENW 100-V-n-Kanal-Automotive-MOSFET von Vishay/Siliconix ist in einem einzelnen PowerPAK^® 1212-8W-Gehäuse verfügbar und für einen Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von 55 °C bis +175 °C ausgelegt.