STO33N60M6

STMicroelectronics
511-STO33N60M6
STO33N60M6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
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Datenblatt:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
125 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
33.4 nC
- 55 C
+ 150 C
230 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 7.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 33 ns
Serie: MDmesh M6
Verpackung ab Werk: 1800
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 38.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 19.5 ns
Gewicht pro Stück: 76 mg
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Datenblatt

PCN

Technical Resources

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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STO65N60DM6 Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STO65N60DM6 Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh DM6-Baureihe mit schneller Freilaufdiode, die eine sehr niedrige Freilaufladung (Qrr), eine Recoveryzeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS (on). Der STO65N60DM6 bietet eine ausgezeichnete Schaltleistung über den zusätzlichen Treiberquell-pin. Diese Leistung macht den STO65N60DM6 Leistungs-MOSFET von STM ideal für die anspruchsvollsten Brückentopologien mit hohem Wirkungsgrad und phasenverschobene ZVS-Wandler.

STO67N60x MDmesh-Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh Leistungs-MOSFETs sind Zener-geschützte und 100 % Avalanche-getestete N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich für Schaltungen eignen. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung, einen niedrigen Gate-Eingangswiderstand und einen niedrigeren RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation. Der STO67N60DM6 Leistungs-MOSFET ist eine schnelle Freilaufdiode und kombiniert eine sehr niedrige Freilaufladung (Qrr) und eine Erholungszeit (trr) mit dem effektivsten Schaltverhalten. Der STO67N60M6 Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in LLC-Wandlern und Aufwärts-PFC-Wandlern.

MDmesh™ M6-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFETs kombinieren eine niedrige Gate-Ladung (Qg) mit einem optimierten Kapazitätsprofil, um einen hohen Wirkungsgrad auf neuen Topologien in Leistungsumwandlungsapplikationen zu ermöglichen. Die Super-Junction MDmesh™ M6-Baureihe bietet ein Betriebsverhalten mit hohem Wirkungsgrad, wodurch eine erhöhte Leistungsdichte und eine niedrige Gate-Ladung für den Betrieb bei hohen Frequenzen erzielt wird. Die MOSFETs der M6-Baureihe verfügen über eine Durchschlagspannung von 600 bis 700 V und sind in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen erhältlich. Dazu gehören eine TO-Leadless-(TO-LL)-Gehäuselösung, die ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Die Bauteile umfassen eine große Auswahl von Betriebsspannungen für Industrieapplikationen, einschließlich Ladegeräte, Adapter, Silver-Box-Module, LED-Beleuchtung, Telekommunikation, Server und Solarapplikationen.

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