LFPAK8 Automotive-Leistungs-MOSFETs

onsemi LFPAK8 Automotive-Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifizierte n-Einkanal-MOSFETs mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm, die sich ideal für kompakte Designs eignen. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand zur Reduzierung der Leitungsverluste und eine niedrige Gate-Ladung und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Automobilstandard-Leistungs-MOSFET sind bleifrei, RoHS-konform und verfügen über einen großen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
onsemi MOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
Datenblatt
2’965Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3’000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
Datenblatt
40Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 31 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
Datenblatt
3’000erwartet ab 15.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 2 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms 20 V 2 V 11.4 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape