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NVMFWS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D7N04XMT1G
Price: 1.08 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMFWS1D7N04XMT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWS1D7N04XMT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFWS1D7N04XMT1G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	154 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	29 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	75 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	77 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	NVMFWS1D7N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns

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Datenblatt

NVMFWS1D7N04XMT1G Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Malaysia

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVMFWS1D7N04XM MOSFET

Der onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET ist ein Einzel-, N-Kanal-STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse. Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 40 V, einen Dauersenkenstrom von 154 A und ist gemäßAEC-Q101 zertifiziert. Der NVMFWS1D7N04XM MOSFET von onsemi reduziert Treiber- und Leitungsverluste mit geringen Werten bei Kapazität sowie R_DS(on). Der NVMFWS1D7N04XM ist in einem Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm untergebracht und eignet sich hervorragend für den Motorantrieb, den Batterieschutz und die Synchrongleichrichtung.

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NVMFWS1D7N04XMT1G

Herst.: onsemi

Beschreibung: MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Technische Daten

Dokumente (1)

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NVMFWS1D7N04XM MOSFET

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