FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung

onsemi IGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
Datenblatt
858Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.69 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD AEC-Q101 Tube
onsemi IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
Datenblatt
1’126Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGA60N65SMD Tube

onsemi IGBTs 650V FS3 Trench IGBT
Datenblatt
615Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDT Tube

onsemi IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan
Datenblatt
502Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube

onsemi IGBTs 650 V 100 A 240 W
Datenblatt
81Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 340 W - 55 C + 175 C FGH50T65UPD Tube

onsemi IGBTs 650V 150A 187W
Datenblatt
332Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 150 A 187 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD Tube
onsemi IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
Datenblatt
81Auf Lager
450erwartet ab 28.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 150

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGA40N65SMD Tube
onsemi IGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
Datenblatt
55Auf Lager
450erwartet ab 05.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 60

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGA40T65SHD Tube
onsemi FGH60T65SHD-F155
onsemi IGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V
Datenblatt
849Auf Lager
1’350erwartet ab 09.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 270

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 349 W - 55 C + 175 C FGH60T65SHD Tube
onsemi IGBTs 600 V 80 A 79 W
Datenblatt
521Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 30

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
Datenblatt
107Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHDF Tube
onsemi FGH40T65SHD-F155
onsemi IGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V
Datenblatt
460Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHD Tube