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SUM40014M-GE3

Name: Vishay SUM40014M-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUM40014M-GE3
Price: 3.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SUM40014M-GE3

Herst.- Nr.:

SUM40014M-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs TO263 N-CH 40V 200A

Datenblatt:

SUM40014M-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	990 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	182 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	ThunderFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay / Siliconix
Abfallzeit:	35 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	140 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	ThunderFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	1.600 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SUM40014M 40-V-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SUM40014M 40-V-n-Kanal-MOSFET bietet eine Drain-Quellenspannung von 40 V_DS in einem D²PAK-Gehäuse mit Einzelkonfiguration und ThunderFET®-Leistung. Der MOSFET nutzt ein bleifreies und RoHS-konformes Design und ist zu 100 % R_g- und UIS-getestet. Der SUM40014M 40-V-n-Kanal-MOSFET von Vishay/Siliconix eignet sich hervorragend für den Einsatz in DC/DC-Wandlern, Batteriemanagement, Elektrowerkzeuge und Motorantriebsschalter.

TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET^®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK^® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.