S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.

Ergebnisse: 102
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Serie Speichergröße Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Max. aktiver Lesestrom Schnittstellen-Typ Organisation Datenbus-Weite Timing-Typ Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Verpackung
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 910
Mult.: 910

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 900
Mult.: 900

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 180
Mult.: 180

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 910
Mult.: 910

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash Ser NOR-Flash Memory 20 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’600
Mult.: 2’600

LAE-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash Ser NOR-Flash Memory 20 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200
Rolle: 2’200

SMD/SMT LAE-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 455
Mult.: 455

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash 1G 3V 120ns Parallel NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’600
Mult.: 2’600

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash 1G 3V 120ns Parallel NOR-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 182
Mult.: 182

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S29GL01GS10DHA023
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200
Rolle: 2’200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHI023
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200
Rolle: 2’200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHSS13
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200
Rolle: 2’200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHSS23
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200
Rolle: 2’200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHSS33
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200
Rolle: 2’200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10DHSS43
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’200
Mult.: 2’200
Rolle: 2’200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FAI013
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’600
Mult.: 1’600
Rolle: 1’600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FAI023
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’600
Mult.: 1’600
Rolle: 1’600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHI013
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’600
Mult.: 1’600
Rolle: 1’600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHI023
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’600
Mult.: 1’600
Rolle: 1’600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHSS13
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’600
Mult.: 1’600
Rolle: 1’600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHSS23
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’600
Mult.: 1’600
Rolle: 1’600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHSS33
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’600
Mult.: 1’600
Rolle: 1’600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10FHSS43
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’600
Mult.: 1’600
Rolle: 1’600

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10TFI013
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL01GS10TFI023
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel