NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Widerstand (RDS(on)) zur Reduzierung der Leitungsverluste und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste aus. Die NVMFD5873NL Leistungs-MOSFETs bieten eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Diese MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Die NVMFD5873NL Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für die Motorsteuerung und als High-Side-/Low-Side-Schalter.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
onsemi MOSFETs NFET DFN8 60V 58A 13MOHM
1’500erwartet ab 14.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1’500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 60 V 58 A 13 mOhms 20 V 2.5 V 30.5 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1’500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 58 A 13 mOhms AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel