DMTH4004 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Die n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs DMTH4004 von Diodes Inc. sind zur Reduzierung des Einschaltwiderstands (RDS(ON) ausgelegt. Diese MOSFETs sind ideal für hohe Umgebungstemperaturen und für bis zu 175 °C ausgelegt. Die n-Kanal-MOSFETs sind 100 % UIS-geprüft (en: Unclamped Inductive Switching) in der Produktion, so dass eine zuverlässige und robuste Endanwendung gesichert werden kann. Diese MOSFETs bieten eine Drain-Source-Spannung von 40 V und minimieren Schaltverluste. Die MOSFETs DMTH4004SCTBQ, DMTH4004SPSQ, und DMTH4004LK3 der DMTH4004-Baureihe wurden entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobil-Applikationen zu erfüllen. Diese MOSFETs sind alle PPAP-fähig (Produktionsteil-Abnehmverfahren) und nach AEC-Q101 zugelassen. Die MOSFETs der DMTH4004-Baureihe eignen sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen, in der Karosseriesteuerungselektronik und in DC/DC-Wandlern.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A
Datenblatt
2’381Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V N-Ch Enh FET Low Rdson
Datenblatt
2’363Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Datenblatt
2’370Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
Datenblatt
356Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
Datenblatt
31Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 69.6 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) AEC-Q101 Reel