2SAR579D3 1,5 A 160 V PNP-Leistungstransistor

Der 2SAR579D3 1,5 A 160 V PNP-Leistungstransistor von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen VCE(sat) und eignet sich als Niederfrequenzverstärker. Es handelt sich um ein äußerst zuverlässiges Produkt für Fahrzeuganwendungen, das in einem TO-252 (DPAK)-Gehäuse geliefert wird. Der 2SAR579D3 von ROHM Semiconductor ist für eine Kollektor-Basis-Spannung (VCBO) und Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von -160 V ausgelegt und hat einen Kollektorstrom (IC) von -1,5 A.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
ROHM Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 2SAR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
Datenblatt
2'113Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'500
Si SMD/SMT TO-252-3 PNP Single 3 A 160 V 160 V 10 V 400 mV 10 W 67 MHz + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
Datenblatt
2'000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'500
Si SMD/SMT TO-252-3 PNP Single 3 A 160 V 160 V 10 V 400 mV 10 W 67 MHz + 150 C Reel, Cut Tape