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RQ3P270BLFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3P270BLFRATCB
Price: 1.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ3P270BLFRATCB

Herst.- Nr.:

RQ3P270BLFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT N CHAN 100V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

RQ3P270BLFRATCB Datenblatt

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	27 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	29 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	13.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	69 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

RQ3P270BLFRATCB Datenblatt

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET

Der RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein für Fahrzeuganwendungen geeigneter MOSFET, der die AEC-Q101-Qualifikation besitzt. Die Bauteile bieten eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 100 V, einen statischen Einschaltwiderstand von 29 mΩ und einen Dauersenkenstrom von ±27 A. Die RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFETs von ROHM eignen sich ideal für Fahrzeuganwendungen, einschließlich ADAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

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RQ3P270BLFRATCB

Herst.: ROHM Semiconductor

Beschreibung: MOSFETs HSMT N CHAN 100V

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Electronic Vehicle (EV) Solutions

RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET

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