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SIJA22DP-T1-GE3

Name: Vishay SIJA22DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJA22DP-T1-GE3
Price: 1.54 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIJA22DP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIJA22DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

Datenblatt:

SIJA22DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.533	CHF 266.50
	CHF 0.487	CHF 487.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.469	CHF 1’407.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	201 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	740 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	83 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	48 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	155 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	39 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	506.600 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

SiJA22DP 25-V-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SiJA22DP 25-V-n-Kanal-MOSFET ist in einem PowerPAK-SO-8L-Gehäuse untergebracht und bietet eine Drain-Quellenspannung von 25 V_DS und ein Einzelkonfigurationsdesign. Dieses Modul verfügt über eine TrenchFET®-Gen-IV-Leistung, die auf den niedrigsten R_DS-zu-Q_oss-FOM abgestimmt und 100 % R_g- und UIS-getestet ist. Der SiJA22DP 25-V-n-Kanal-MOSFET von Vishay eignet sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung, DC/DC-Wandler mit hoher Leistungsdichte, Batterie- und Lastschalter sowie Hot-Swap-fähige Schalter.