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EVLMG1LPBRDR1

Name: STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVLMG1LPBRDR1
Price: 84.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-EVLMG1LPBRDR1

Herst.- Nr.:

EVLMG1LPBRDR1

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung MASTERGAN1L power module high efficiency Half-Bridge-GaN-based power supply apps

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Datenblatt:

EVLMG1LPBRDR1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:
Produkt:	Evaluation Modules
Typ:	Gate Driver
Tool für die Evaluierung von:	MASTERGAN1L
Marke:	STMicroelectronics
Zum Gebrauch mit:	Power Module
Verpackung:	Bulk
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools

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Datenblatt

EVLMG1LPBRDR1 Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8504409580
JPHTS:: 850440090
TARIC:: 8504409590
ECCN:: EAR99

EVLMG1LPBRDR1 GaN-basiertes Halbbrücken-Leistungsmodul

Das EVLMG1LPBRDR1 GaN-basierte Halbbrücken-Leistungsmodul von STMicroelectronics ist mit dem MASTERGAN1L ausgestattet, der schnell Topologien erzeugt, ohne dass ein vollständiges PCB-Design erforderlich ist. Das Modul ist für den Betrieb in einer LLC-Applikation feinabgestimmt und bietet Low-Side-Widerstände, die auf Null eingestellt sind und zwei externe Bodydioden, die parallel mit jedem Halbbrücken-GaN verbunden sind. Das Modul kann auch ganz einfach in Applikationen mit aktiver Klemme oder resonantem Spitzenstrommodus mit Flyback arbeiten, wenn der Low-Side-Messwiderstand ordnungsgemäß angepasst und die parallelen Dioden entfernt werden.