PSMN1R9 und PSMN2R3 n-Kanal-MOSFETs
Die N-Kanal-MOSFETs PSMN1R9 und PSMN2R3 von Nexperia sind für extreme Leistung und Zuverlässigkeit ausgelegt. Die Nexperia PSMN-Bauteile sind Teil der Nexperia-Produktreihe anwendungsspezifischer MOSFETs (ASFETs). Die MOSFETs wurden speziell für Hot-Swap- und Soft-Start-Applikationen entwickelt und sind für den Betrieb bei einer Temperatur von bis zu 175 °C qualifiziert. Die Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen RDSon und eine verbesserte Leistung im sicheren Wirkbereich aus, was sie zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Leistungsmanagements-Applikationen macht. Das Kupfer-Clip-Gehäuse LFPAK88 der MOSFETs bietet hohe Zuverlässigkeit und ist robust genug, um beim Einschalten erhebliche Einschaltströme zu verarbeiten. Mit niedrigem RDSon und optimiertem Wirkungsgrad sind die PSMN1R9 und PSMN2R3 eine hervorragende Lösung für Leistungsmanagement-Systeme.
