NVBLS1D2N08XTXG

onsemi
863-NVBLS1D2N08XTXG
NVBLS1D2N08XTXG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs T10 80V SG TOLL

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
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ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H-PSOF-8L
N-Channel
1 Channel
80 V
299 A
1.1 mOhms
20 V
3.6 V
121 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 294 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 23 ns
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 40 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Japan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVBLS1D2N08X MOSFET

Der MOSFET NVBLS1D2N08X von onsemi verfügt über einen niedrigen QRR, RDS(on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten. Der MOSFET ist AEC-Q101-qualified für 48 V-Automotive-Systemapplikationen. Das Bauteil arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einem Dauersenkenstrom von 299 A. Der NVBLS1D2N08X MOSFET von Onsemi ist in einem H-PSOF8L-Gehäuse verfügbar.

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