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NSV40301MZ4T3G

Name: onsemi NSV40301MZ4T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSV40301MZ4T3G
Price: 0.88 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSV40301MZ4T3G

Herst.- Nr.:

NSV40301MZ4T3G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

Datenblatt:

NSV40301MZ4T3G Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-223-4
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	5 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	40 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	40 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Pd - Verlustleistung:	2 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	215 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Serie:	NSS40301MZ4
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	3 A
DC Stromverstärkung hFE max.:	500
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NSV40301MZ4T3G Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Malaysia

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NSV40301MZ4 Bipolarer Leistungstransistor

Der bipolare Leistungstransistor NSV40301MZ4 von onsemi ist ein NPN-Transistor mit einer Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und niedriger V_{CE (sat)} mit hohem Gain. Dieser bipolare Transistor verfügt über eine DC-Kollektor-Emitter-Spannung von 40 V_DC, einen Basisstrom von 1 A_DC und einen Betriebs- und Speicher-Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Der bipolare Leistungstransistor der Baureihe NSV40301MZ4 ist blei-, halogen-/BFR-frei und RoHs-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Spannungsregelung, Leistungsmanagement für tragbare Geräte, Schaltregler, Motorsteuerungen und DC/DC-Wandler.

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NSV40301MZ4T3G

Herst.: onsemi

Beschreibung: Bipolartransistoren - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

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