NTBLS4D0N15MC

onsemi
863-NTBLS4D0N15MC
NTBLS4D0N15MC

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 150 V, 4.4 mohm?, 187A

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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-LL8-8
N-Channel
1 Channel
150 V
187 A
4.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
90.4 nC
- 55 C
+ 175 C
316 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 174 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 115 ns
Serie: NTBLS4D0N15MC
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 47 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTBLS4D0N15MC n-Einkanal-MOSFET

Der onsemi NTBLS4D0N15MC n-Einkanal-MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem RDS(on), der Leitungsverluste reduziert. Dieser MOSFET bietet eine niedrige Gesamt-Gate-Ladung (QG) und eine geringe Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Der NTBLS4D0N15MC MOSFET senkt das Schaltrauschen/EMI und verfügt über einen maximalen Dauersenkenstrom (ID) von 187 A und eine Drain-Quellenspannung (VDSS) von 150 V. Zu den typischen Applikationen gehören Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, UAV/Drohnen, Materialtransport, Batteriemanagementsystem (BMS)/Speicher und Heimautomatisierung.

Industrielle Motorantriebe

onsemi Industrie-Motorantriebe sind für die globale Nachhaltigkeit ausgelegt und liefern effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung. Laut der vom US- Energieministerium (DOE) veröffentlichten Marktanalyse für 2020 (MSMA) verbrauchen Industriepumpen und Laufwerke jährlich fast 15 % des gesamten US- Rasters. Die MSMA von 2020 schätzt auch, dass jährlich 32,3 Millionen Tonnen CO2-Emissionen eingespart werden können, indem VFDs eingesetzt werden. Onsemi stellt eine breite Palette von VFD Halbleiter Bauelementen her, einschließlich Gate-Treiber. MOSFETs IGBTs und EliteSiC.