RGTV 650V Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGTV 650 V Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor bieten eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung in einem kleinen Gehäuse. Die RGTV IGBTs verfügen über eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung, einen geringen Schaltverlust und eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 2μs. Die RGTV 650 V Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM eignen sich hervorragend für Solarwechselrichter-, USV-, Schweiß-, IH- und PFC-Applikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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846Auf Lager
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Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
445Auf Lager
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Mult.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 60A Field Stop Trench IGBT
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429Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Datenblatt
449Auf Lager
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Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Datenblatt
451Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Datenblatt
399Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube