CoolSiC™ 440-V-G2-Siliciumcarbid-MOSFETs

Die CoolSiC™ 440 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies wurden entwickelt, um die Lücke zwischen 200 V Si -Trench -MOSFETs und 600 V Si- Anschluss -MOSFETs (SJ) zu überbrücken. Diese MOSFETs bieten eine hervorragende Leistungsdichte und Systemeffizienz in 2 und 3 Stufen unter Verwendung von harten und weichen Schalttopologien. Die CoolSiC™ MOSFETs zeichnen sich durch eine Sperrspannung von 440 V, eine Gate-Schwellenspannung von 4,5 V und eine geringe RDS_(ON)-Temperaturabhängigkeit aus. Diese MOSFETs vereinen hohe Robustheit mit extrem niedrigen Schaltverlusten und niedrigem Einschaltwiderstand. Die CoolSiC™ MOSFETs sind ideal für applikationsspezifische MOSFETs, die für die Stromversorgung von KI, Hochleistungs-SMPS für Server, Rechenzentren und Telekommunikationsgleichrichtern entwickelt wurden.