1.200 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 diskrete Transistoren

Die diskreten Transistoren von Infineon Technologies 1.200 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 sind die 7. Generation der 1.200 V TRENCHSTOP™ IGBTs, die mit Mikrostruktur-Trench-Technologie entwickelt wurden. Diese diskreten IGBTs bieten ein hohes Maß an Steuerbarkeit, geringe Leitungsverluste, geringe Schaltverluste, verbessertes EMI Betriebsverhalten und Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungsbedingungen. Die diskreten H7 IGBT7 Transistoren ermöglichen die Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands (bis zu 5 Ω) bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung eines hervorragenden Schaltverhaltens. Diese Transistoren werden in Schnellladeanlagen für Elektrofahrzeuge, industriellen Heiz- und Schweißanlagen sowie in unterbrechungsfreien Stromversorgungs (UPS) Applikationen.

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Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 417Auf Lager
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480erwartet ab 08.10.2026
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IGBT7 H7 Tube
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IGBT7 H7 Tube
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240erwartet ab 28.01.2027
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Si IGBT7 H7 Tube
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240erwartet ab 17.09.2026
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Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
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Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
680erwartet ab 16.07.2026
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