TSZ182H1YDT

STMicroelectronics
511-TSZ182H1YDT
TSZ182H1YDT

Herst.:

Beschreibung:
Operationsverstärker Automotive-grade, very high accuracy (70 uV), high bandwidth (3 MHz), high tempe

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CHF 3.73 CHF 37.30
CHF 3.49 CHF 87.25
CHF 3.06 CHF 306.00
CHF 2.91 CHF 727.50
CHF 2.61 CHF 1’305.00
CHF 2.35 CHF 2’350.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 2.03 CHF 5’075.00

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STMicroelectronics
Produktkategorie: Operationsverstärker
RoHS:  
2 Channel
2.3 MHz
4.6 V/us
3.5 uV
200 pA
5.5 V
2.2 V
700 uA
88 dB
50 nV/sqrt Hz
SO-8
SMD/SMT
No Shutdown
- 40 C
+ 175 C
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
Verstärkertyp: Zero-Drift Operational Amplifiers
Marke: STMicroelectronics
Eingangsart: Rail-to-Rail
Ios - Eingangs-Offset-Strom: 400 pA
Art der Ausgabe: Rail-to-Rail
Produkt: Operational Amplifiers
Produkt-Typ: Op Amps - Operational Amplifiers
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Amplifier ICs
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

TSZ182H1 Nullpunktdrift-Operationsverstärker

Die STMicroelectronics TSZ182H1 Nullpunktdrift-Operationsverstärker haben niedrige Offset-Spannungen mit praktisch keinem Drift bei Temperaturänderungen. Der TSZ182H1 von STMicroelectronics bietet einen Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang, ein hervorragendes Verhältnis von Geschwindigkeit und Stromverbrauch und eine Gain-Bandbreite von 3 MHz. Das Bauteil verbraucht 1 mA bei 5 V, wird über einen erweiterten Bereich von -40 bis +175 °C betrieben und verfügt über einen extrem niedrigen Eingangs-Bias-Strom.