NXH015F120M3F1PTG

onsemi
863-XH015F120M3F1PTG
NXH015F120M3F1PTG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 28

Lagerbestand:
28 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
19 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 55.14 CHF 55.14
CHF 48.15 CHF 481.50

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
SiC
Press Fit
42.5 mm x 33.8 mm
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
77 A
19 mOhms
- 10 V, 22 V
4.4 V
- 40 C
+ 175 C
198 W
NXH015F120M3F1PTG
Tray
Marke: onsemi
Konfiguration: Quad
Abfallzeit: 7.5 ns
Höhe: 12 mm
Länge: 42.5 mm
Produkt: MOSFET Modules
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 8.6 ns
Verpackung ab Werk: 28
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Typ: Full Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit: 103 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 33.3 ns
Vf - Durchlassspannung: 4.67 V
Breite: 33.8 mm
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-Modul

Das NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid-Modul von onsemi umfasst eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücken-Topologie und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse. Dieses Leistungsmodul hat eine +22 V/-10 V Gate-Quellspannung, 77 A Dauersenkenstrom bei TC = 80 °C (TJ = 175 °C), 198 W maximalen Leistungsverlust und 12,7 mm Kriechstrecke. Der NXH015F120M3F1PTG SiC-MOSFET wird mit vorinstalliertem Wärme-Ableitungsmaterial (TIM) und ohne vorinstalliertem TIM geliefert. Das SiC-Modul ist bleifrei, halogenfrei und RoHs-konform. Typische Applikationen umfassen ein Solar-Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Industriestrom.