STL325N4LF8AG

STMicroelectronics
511-STL325N4LF8AG
STL325N4LF8AG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

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CHF 1.03 CHF 103.00
CHF 0.97 CHF 485.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
N-Channel
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: STripFET F8
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 76 mg
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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V, um alle Anforderungen für Lösungen mit sehr hoher Leistungsdichte zu erfüllen. Diese Niederspannungs-MOSFETs verfügen über die STPOWER StripFET F8-Technologie. Die STripFET F8-Technologie spart Energie und sorgt für geringe Rauschentwicklung in Stromumwandlungs-, Motorsteuerungs- und Stromverteilungsschaltungen, indem sie sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Diode optimiert. Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics vereinfachen das Systemdesign und steigern die Effizienz in Anwendungen wie Fahrzeugtechnik, Computer/Peripheriegeräte, Rechenzentren, Telekommunikation, Solarenergie, Netzteile/Wandler, Batterieladegeräte, Haushalts-/Profigeräte, Gaming, Drohnen und mehr.

STL325N4LF8AG N-Channel Leistungs-MOSFET

Das STMicroelectronics  STL325N4LF8AG N-Kanal Leistungs-MOSFET verwendet die STRipFET F8- Technologie und verfügt über einen verbesserten Trench GATE Aufbau. Das STL325N4LF8AG sorgt für einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand. Das Bauteil reduziert außerdem die internen Kapazitäten und Gate-Ladungen für schnelleres und effizienteres Schalten.