VS-HOT200C080

Vishay Semiconductors
78-VS-HOT200C080
VS-HOT200C080

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module FLATPAK12 MOSFET MOD 80V 200A

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
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Vishay
Produktkategorie: MOSFET-Module
Press Fit
FlatPAK-12
80 V
243 A
1.21 mOhms
20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
194 W
Marke: Vishay Semiconductors
Abfallzeit: 256 ns
Produkt: Power Module
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 169 ns
Verpackung ab Werk: 288
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Typ: Half Bridge - Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 1015 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 203 ns
Vf - Durchlassspannung: 830 mV
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Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
China
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

Das 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul VS-HOT200C080 von Vishay Semiconductor ist ein integriertes Bauteil, das Halbbrücken-MOSFETs mit klassenbestem RDS(ON)in einem kompakten FlatPAK HC0-Gehäuse mit Transferformung vereint. Dieses Gerät hat eine Drain-to-Source-Spannung (VDSS) von 80 V und eine Dauersenkenstrom (ID) von 195 A (TC = +80 °C). Um die Effizienz zu steigern, senkt der niedrige Durchlasswiderstand der MOSFETs des Leistungsmoduls die Leitungsverluste im Vergleich zu Konkurrenzprodukten um 32 %. Das Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %. Das VS-HOT200C080 von Vishay Semiconductor vereint 80-V-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration, einen Shunt-Widerstand zur Strommessung, Bypass-Kondensatoren für ein verbessertes Schaltverhalten sowie einen NTC-Widerstand zur Temperaturerfassung.

Auf Lager: 256

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CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
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Preis (CHF)

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CHF 21.53 CHF 21.53
CHF 13.10 CHF 131.00
CHF 12.56 CHF 1’256.00