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BGA5H1BN6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA5H1BN6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA5H1BN6E6327XT
Price: 0.47 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BGA5H1BN6E6327XT

Herst.- Nr.:

BGA5H1BN6E6327XTSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

HF-Verstärker RF MMIC SUB 3 GHZ

Datenblatt:

BGA5H1BN6E6327XTSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 0.478	CHF 0.48
	CHF 0.408	CHF 4.08
	CHF 0.385	CHF 9.63
	CHF 0.351	CHF 35.10
	CHF 0.333	CHF 83.25
	CHF 0.317	CHF 158.50
	CHF 0.284	CHF 284.00
	CHF 0.244	CHF 976.00
	CHF 0.219	CHF 1'752.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 12000)
	CHF 0.219	CHF 2'628.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	HF-Verstärker
RoHS:
Betriebsfrequenz:	2.3 GHz to 2.69 GHz
Betriebsversorgungsspannung:	1.5 V to 3.6 V
Betriebsversorgungsstrom:	8.5 mA
Verstärkung:	18 dB
NF - Noise Figure (Rauschzahl):	0.7 dB
Typ:	Low Noise Amplifiers
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSNP-6
Technologie:	SiGe
P1dB - Kompressionspunkt:	- 16 dBm
OIP3 - Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (Third Order Intercept):	- 6 dBm
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Eingaberücklaufverlust:	10 dB
Isolierung dB:	36 dB
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	60 mW
Produkt-Typ:	RF Amplifier
Verpackung ab Werk:	12000
Unterkategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrequenz:	2.5 GHz
Artikel # Aliases:	BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Gewicht pro Stück:	0.830 mg

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Datenblatt

BGA5H1BN6E6327XTSA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

BGA5x1BN6 Rauscharme Verstärker

Zur Infineon Technologies BGA5x1BN6 Verstärker-Produktfamilie gehören rauscharme Verstärker mit hoher Verstärkung von +18 dBm, die Nieder- (600 bis 1.000 MHz), Mittel- (1.805 bis 2.200 MHz) und Hoch- (2.300 bis 2.690 MHz) Frequenzbereiche abdecken. Basierend auf der B9HF Silizium-Germanium-Technologie von Infineon Technologies, werden die BGA5x1BN6 Verstärker von einer Versorgungsspannung von 1,5 V bis 3,6 V betrieben und bieten eine Einzelleistungs-Zweistufen-Steuerung. Der Verstärker bietet eine ausgezeichnete rauscharme Leistung und wettbewerbsfähige Einfügungsdämpfungswerte. Entwickler können den Aus-Zustandmodus des BGA5x1BN6 einfach durch das Ausschalten des V_CC aktivieren. Die BGA5x1BN6 Verstärker sind in einem extrem kleinen bleifreien Gehäuse von nur 0,7 x 1,1 mm² verfügbar und eignen sich daher für Smartphones, die auf dem LTE- oder GSM-Netzwerk laufen.

Rauscharme Verstärker-ICs (LNA).

Die rauscharmen Verstärker(LNA)-ICs von Infineon Technologies erhöhen die Datenraten und die Empfangsqualität von Wireless-Applikationen durch die Nutzung eines sehr stromsparenden Signals ohne wesentliche Beeinträchtigung des Signal-Rausch-Verhältnisses. Die bessere Empfängerempfindlichkeit verbessert das Benutzererlebnis und erfüllt die Marktanforderungen. Diese hochintegrierten Bauteile in einem kleinen Gehäuse verfügen über einen ESD-Schutz und einen geringen Stromverbrauch, wodurch sie sich hervorragend für batteriebetriebene Mobilgeräte eignen. Die Benutzer von tragbaren 4G/5G-, GPS-, Mobile TV-, Wi-Fi- und FM-Geräten profitieren vom Empfang mit hoher Datenrate, schneller/präziser Navigation und reibungslosem, hochwertigem Streaming auch unter schlechtesten Empfangsbedingungen.