NTMFS005P03P8Z p-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMFS005P03P8Z p-Einkanal-Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Leistungslastschalter, Batteriemanagement und den Schutz (Sperrstrom, Überspannung und negative Sperrspannung). Der NTMFS005P03P8Z wird in einem Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben und liefert eine Drain-Source-Spannung von -30 V, einen On-Widerstand von 2,7 mΩ bei 10 V und einen Drain-/Standby-Strom von 164 A. Der NTMFS005P03P8Z von onsemi ist in einem SO8-FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm untergebracht, das eine fortschrittliche Gehäusetechnologie für Platzeinsparungen und eine ausgezeichnete Wärmeleitung verwendet.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
onsemi NTMFS005P03P8ZST1G
onsemi MOSFETs PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Datenblatt
138Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'500
Si Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs PFET SO8FL -30V 5MO
Datenblatt
2'891Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 P-Channel 1 Channel 30 V 164 A 2.7 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 183 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement Reel, Cut Tape