Standard Sync SRAM

Infineon Technologies Standard Synchronous SRAM consists of Synchronous Burst SRAM with a maximum speed of 250MHz, core voltages up to 3.3V, and densities up to 72Mb. The offering is available in bus widths of x18, x36, and x72 in TQFP100, BGA119, and FBGA165 industry-standard packages. Standard Synchronous Burst SRAM devices are used in industrial electronics, instrumentation, and military applications. They are often used as data buffers (temporary storage) and can be accessed randomly through their high-speed, Single Data Rate (SDR) interface. The Standard Synchronous Burst SRAM is ideal for read-intensive operations due to their low latency and common I/O. Designers have a choice between Flow-through or Pipelined architectures. Flow-through parts offer lower latencies, and pipelined parts offer higher operating frequencies, allowing users to select the optimal memory for their application.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 304Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM 158Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 105Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 129 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM 1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 129 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

36 Mbit 1 M x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210
Nein
72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 250MHz Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210
Nein
72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray