RxL120BLFRA Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor RxL120BLFRALeistungs-MOSFETs sind Automobilstandard-MOSFETs, die AEC-Q101-qualifiziert sind. Die Bauteile verfügen über eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 60 V, ein statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand von 30 mΩ und einen Dauersenkenstrom von ±12 A. Die RxL120BLFRA Leistungs-MOSFETs von ROHM sind ideal für Fahrzeuganwendungen geeignet, einschließlich FAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN2020 N-CH 60V 12A
Datenblatt
2'380Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000
Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 30 mOhms 20 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT N CHAN 60V
Datenblatt
2'320Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 30 mOhms 20 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape