StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs sind n-Kanal-, Normalpegel- und zu 100 % Avalanche-getestete MOSFETs. Die StrongIRFET 2 MOSFETs von Infineon sind für eine große Auswahl von Applikationen optimiert. Die MOSFETs bieten einen VDS-Bereich von 80 V bis 100 V und einen RDS(on) von 2,4 mΩ bis 8,2 mΩ.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IR FET UP TO 60V 3’050Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 4.95 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 21 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 1’079Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 4’266Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 282 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IR FET UP TO 60V 2’799Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 128 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 95 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 1’154Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 1’987Auf Lager
2’000erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET 3’008Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 208 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 135 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 544Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 851Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 1’061Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 119 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 589Auf Lager
2’000erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 931Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 53Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 187 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 124Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 19Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 509Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W 606Auf Lager
1’000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W 993Auf Lager
1’000erwartet ab 12.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 123 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 93 nC - 55 C + 175 C 99 W Enhancement StrongIRFET Tube

Infineon Technologies MOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC 799Auf Lager
2’400erwartet ab 27.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 426 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 300 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
2’000erwartet ab 17.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
799erwartet ab 23.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 191 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
782erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 119 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel