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TF412T5G

Name: onsemi TF412T5G
Brand: onsemi
SKU: 863-TF412T5G
Price: 0.44 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-TF412T5G

Herst.- Nr.:

TF412T5G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs NCH J-FET SOT-883

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TF412T5G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 0.276	CHF 2.76
	CHF 0.182	CHF 18.20
	CHF 0.132	CHF 66.00
	CHF 0.119	CHF 119.00
	CHF 0.106	CHF 265.00
	CHF 0.094	CHF 470.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 8000)
	CHF 0.085	CHF 680.00
	CHF 0.076	CHF 1'824.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-883-3
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	- 30 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 600 mV
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	3 mA
Id - Drain-Gleichstrom:	10 mA
Serie:	TF412
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	8000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

TF412T5G Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

TF412 n-Kanal-JFET

Der onsemi TF412 n-Kanal-JFET wurde für Niederfrequenz-Universalverstärker und Impedanzwandler-Applikationen konzipiert. Der TF412 von onsemi wird mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem Strom von 10 mA, mit einem beeindruckend kleinen Eingangs-Gate-Source-Ableitstrom (I_GSS) von -1,0 nA (V_GS = -20 V, V_DS = 0 V) und einer typischen Eingangskapazität (C_iss) von 4 pF (V_DS = 10 V, V_GS = 0 V, f = 1 MHz). Dieser JFET von onsemi ist in einem ultra-kleinen SOT-883-Gehäuse (1,0 mm × 0,6 mm × 0,4 mm) untergebracht und unterstützt die Produktminiaturisierung. Er entspricht den halogenfreien Umweltstandards und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für kompakte und umweltfreundliche Designs.