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NTTFS007P02P8

Name: onsemi NTTFS007P02P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS007P02P8
Price: 0.95 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS007P02P8

Herst.- Nr.:

NTTFS007P02P8

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs Power MOSFET, Single, P-Channel, -20V, 6.5mohm, -56A, PQFN8 3x3 P-Channel, -20V, 6.5m ohms, PQFN8 3x3

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

NTTFS007P02P8 Datenblatt (PDF)

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	CHF 0.619	CHF 6.19
	CHF 0.512	CHF 51.20
	CHF 0.492	CHF 246.00
	CHF 0.475	CHF 475.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.431	CHF 1'293.00
	CHF 0.421	CHF 2'526.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	56 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	44 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	30 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	68 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	33 ns
Serie:	NTTFS007P02P8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	119 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns

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Datenblatt

NTTFS007P02P8 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

Der P-Kanal-MOSFET onsemi NTTFS007P02P8 für Niederspannung und Mittelspannung ist mit der Hochleistungs-PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS_(on)-Schalt-Performance und Robustheit ausgestattet. Dieser MOSFET mit P-Kanal bietet eine hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit in einem weit verbreiteten Oberflächenmontagegehäuse. Der MOSFET NTTFS007P02P8 verfügt über eine Drain-Source-Spannung von -20 V, eine Gate-Source-Spannung von ±8 V, einen thermischen Widerstand von 3,8 °C/W (Junction-to-Case) und einen Gate-Widerstand von 4,5 Ω. Dieser P-Kanal-MOSFET ist bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform. Typische Anwendungen umfassen Lastschalter, Batteriemanagement, Energiemanagement und Schutz gegen umgekehrte Polarität.