Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTMFS0D7N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D7N04XMT1G
Price: 1.92 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS0D7N04XMT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS0D7N04XMT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Datenblatt:

NTMFS0D7N04XMT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTMFS0D7N04XMT1G

Auf Lager: 188

Lagerbestand:: 188

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 6'000

erwartet ab 02.10.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 27

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.92	CHF 1.92
	CHF 1.24	CHF 12.40
	CHF 0.842	CHF 84.20
	CHF 0.674	CHF 337.00
	CHF 0.593	CHF 593.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.56	CHF 840.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	323 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	700 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	72.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	134 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6.32 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	244
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.12 ns
Serie:	NTMFS0D7N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	39.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25.8 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTMFS0D7N04XMT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

NTMFS0D7N04XM n-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMFS0D7N04XM n-Einkanal-Leistungs-MOSFET ist ein Standard-Gate-Level-Leistungs-MOSFET von 40 V mit führendem On-Widerstand für Motortreiber-Applikationen. Der niedrigere On-Widerstand und die Gate-Ladung können Leitungs- und Antriebsverluste reduzieren. Eine gute Weichheitskontrolle für die Sperrverzögerung der Bodydioden kann die Spannungsspitzenbelastung ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in einer Applikation reduzieren.