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BSD Siliziumkarbid-Schottky-Barriere-Dioden
Bourns BSD-Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) sind für Hochfrequenz- und Hochstromapplikationen ausgelegt, die ein erhöhtes Spitzen-Durchlassableitvermögen, einen niedrigen Durchlassspannungsabfall, einen reduzierten thermischen Widerstand und einen geringen Leistungsverlust erfordern. Diese fortschrittlichen Breitbandlücken-Komponenten tragen zur Erhöhung der Zuverlässigkeit, Schaltleistung und des Wirkungsgrads in DC/DC- und AC/DC-Wandlern, Schaltnetzteilen, Photovoltaik-Wechselrichtern, Motorantrieben und anderen Gleichrichterapplikationen bei. Die BSD-SiC-SBDs von Bourns bieten einen Spannungsbetrieb von 650 V bis 1.200 V mit Strömen im 5-A- bis 10-A-Bereich. Diese hocheffizienten Bauteile verfügen außerdem über keinen Sperrverzögerungsstrom, um EMI zu reduzieren, wodurch die SiC SBDs die Energieverluste deutlich verringern können.