DRV8706S-Q1EVM

Texas Instruments
595-DRV8706S-Q1EVM
DRV8706S-Q1EVM

Herst.:

Beschreibung:
IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Automotive H-bridge smart gate driver EV

Auf Lager: 5

Lagerbestand:
5 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1   Maximal: 5
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 78.99 CHF 78.99

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:  
Evaluation Modules
Brushed DC Motion Controller
4.9 V to 37 V
DRV8706-Q1
DRV8706S
Marke: Texas Instruments
Zum Gebrauch mit: Half-Bridge Smart Gate Driver
Schnittstellen-Typ: USB
Produkt-Typ: Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Development Tools
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8543709990
USHTS:
9030333800
TARIC:
9030337000
ECCN:
EAR99

DRV8706S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul

Das Texas Instruments DRV8706S-Q1EVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul (EVM) ist zur Evaluierung des DRV8706S-Q1 ausgelegt. Der DRV8706S-Q1 ist ein integrierter Automotive-qualifizierter DC-Bürstenmotortreiber. Der DRV8706S-Q1 ist ein hochintegrierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der High-Side- und Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann. Das Bauteil erzeugt ordnungsgemäße Gate-Drive-Spannungen über eine integrierte Verdopplungs-Ladungspumpe für die High-Side-MOSFETs und einen Linearregler für die Low-Side-MOSFETs.