IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV rückwärts leitende BiMOSFET™ IGBTs kombinieren die Stärken von MOSFETs und IGBTs. Diese Hochspannungsbauteile eignen sich aufgrund des positiven Spannungstemperaturkoeffizienten sowohl der Sättigungsspannung als auch des Durchlassspannungsabfalls der zugehörigen Diode ideal für den Parallelbetrieb. Die "freien" intrinsischen Body-Dioden der IXBx14N300HV-BiMOSFET-IGBTs dienen als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom während des Abschaltens des Bauteils bereitstellt und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten dem Bauelement Schaden zufügen.