MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
Weitere Informationen

Arten von diskreten Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 130
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
602Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
Produkt-Kommentare
903Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET-Module N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
Datenblatt
800Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Datenblatt
686Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Datenblatt
370Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
Datenblatt
643Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
Datenblatt
995Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
1'200erwartet ab 13.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
Datenblatt
879Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Datenblatt
183Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Datenblatt
936Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
Datenblatt
255Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Datenblatt
127Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Datenblatt
83Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
Rolle: 3'000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3