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DMTH6004LPS-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6004LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6004LPS-13
Price: 1.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMTH6004LPS-13

Herst.- Nr.:

DMTH6004LPS-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A

Datenblatt:

DMTH6004LPS-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.77	CHF 1.77
	CHF 1.22	CHF 12.20
	CHF 0.867	CHF 86.70
	CHF 0.693	CHF 346.50
	CHF 0.672	CHF 672.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.637	CHF 1’592.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerDI5060-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	96.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	2.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	32.9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17.7 ns
Serie:	DMTH6004
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	53.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.9 ns
Gewicht pro Stück:	96 mg

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Datenblatt

DMTH6004LPS-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMTH6004 N-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Diodes Inc. DMTH6004 N-Kanal-Anreicherungsmodus MOSFETs sind zur Reduzierung des Durchlasswiderstands(R_DS(ON)) bei gleichzeitiger erstklassiger Schaltleistung konzipiert. DMTH-MOSFETs liefern eine BV_DSS-Spannung von 60V und sind auf 175°C eingestellt. Diese MOSFETs sind ideal für Hochleistungs-Applikationen im Energiemanagement. Zu den Applikationen gehören ein Primärschalter in isoliertem DC-DC-Synchrongleichrichter und Lastschalter.
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