MOSFETs – Mouser Liechtenstein

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Ergebnisse: 6

Angewendete Filter:

Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Pd - Verlustleistung

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Teile-Nr.

MOSFETs HIGH POWER_NEW

IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 5.89
272Auf Lager

Herst. Teilenr.
IPW65R060CFD7XKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IPW65R060CFD7SA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt

272Auf Lager

CHF 5.89

CHF 3.35

CHF 2.91

CHF 2.65

Min.: 1
Mult.: 1

Si

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

MOSFETs HIGH POWER_NEW

IPZA65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 9.93
240Auf Lager

Herst. Teilenr.
IPZA65R029CFD7XKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IPZA65R029CFD7XK

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt

240Auf Lager

CHF 9.93

CHF 5.99

CHF 5.27

Min.: 1
Mult.: 1

Si

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

MOSFETs HIGH POWER_NEW

IPW65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 7.23
316Auf Lager

Herst. Teilenr.
IPW65R041CFD7XKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IPW65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt

316Auf Lager

CHF 7.23

CHF 4.25

CHF 3.60

CHF 3.47

Min.: 1
Mult.: 1

Si

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

68.5 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

MOSFETs HIGH POWER_NEW

IPP65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 6.47
318Auf Lager

Herst. Teilenr.
IPP65R041CFD7XKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IPP65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt

318Auf Lager

CHF 6.47

CHF 3.17

CHF 3.00

Min.: 1
Mult.: 1

Si

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

MOSFETs HIGH POWER_NEW

IPP65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 5.34
151Auf Lager

Herst. Teilenr.
IPP65R060CFD7XKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IPP65R060CFD7SA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt

151Auf Lager

CHF 5.34

CHF 2.86

CHF 2.62

CHF 2.33

Min.: 1
Mult.: 1

Si

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

MOSFETs HIGH POWER_NEW

IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 9.00
136Auf Lager

Herst. Teilenr.
IPW65R029CFD7XKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IPW65R029CFD7XKS

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt

136Auf Lager

CHF 9.00

CHF 5.76

CHF 5.01

Min.: 1
Mult.: 1

Si

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube