NTMFD0D9N02P1E

onsemi
863-NTMFD0D9N02P1E
NTMFD0D9N02P1E

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt
Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
2 Channel
25 V, 30 V
77 A, 180 A
720 uOhms, 3 mOhms
- 12 V, 16 V
2 V
19 nC, 67 nC
- 55 C
+ 150 C
29.2 W, 37.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 3 ns, 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 147 S, 311 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 2 ns, 4 ns
Serie: NTMFD0D9N02P1E
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 25 ns, 70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns, 15 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Der MOSFET der Baureihe NTMFD0D9N02P1E von onsemi ist ein Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen. Dieser MOSFET besteht aus einem asymmetrischen POWERTRENCH®-Leistungsclip. Der MOSFET der Baureihe NTMFD0D9N02P1E zeichnet sich durch einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung der Leitungsverluste und einen niedrigen QG sowie eine geringe Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste aus. Dieser MOSFET ist in einem kompakten Design mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm erhältlich. Der MOSFET der Baureihe NTMFD0D9N02P1E ist bleifrei und halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, SystemSpannungsschienen und universelle Point-of-Load-Wandler.

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