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FFSH30120A-F155

Name: onsemi FFSH30120A-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH30120A-F155
Price: 7.91 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FFSH30120A-F155

Herst.- Nr.:

FFSH30120A-F155

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL

Datenblatt:

FFSH30120A-F155 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	30 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.45 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	230 A
Ir - Sperrstrom:	200 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FFSH30120A-F155
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Pd - Verlustleistung:	500 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV

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Datenblatt

FFSH30120A-F155 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSH10120A-F155 Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden

Die FFSH10120A-F155 Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden von onsemi bieten eine überragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium. Das FFSH10120A-F155 von onsemi zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chip-Größe aus, die niedrige Kapazität und Gare-Ladung gewährleistet. Zu den Vorteilen des Systems gehören einhoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, höhere Leistungsdichte, reduzierte EMI und reduzierte Systemgröße.