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NVMYS4D5N04CTWG

Name: onsemi NVMYS4D5N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS4D5N04CTWG
Price: 1.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS4D5N04CTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS4D5N04CTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V SL LFPAK

Datenblatt:

NVMYS4D5N04CTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.36	CHF 1.36
	CHF 0.867	CHF 8.67
	CHF 0.577	CHF 57.70
	CHF 0.455	CHF 227.50
	CHF 0.415	CHF 415.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.382	CHF 1’146.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	55 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	57 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	80 ns
Serie:	NVMYS4D5N04C
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

NVMYS4D5N04CTWG Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMYS4D5N04C Einzelne N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die einzelnen N-Kanal-Leistungs-MOSFETs NVMYS4D5N04C von onsemi wurden speziell für die Automobilindustrie entwickelt und sind in einem 5 mm x 6 mm LFPAK-Gehäuse untergebracht. Mit dem NVMYS4D5N04C von onsemi lassen sich kompakte und effiziente Designs realisieren und dabei eine hohe thermische Leistung sicherstellen. Die MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig und somit für Fahrzeuganwendungen geeignet, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Leiterebene erfordern.