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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A
Datenblatt
2'361erwartet ab 26.06.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

Si SMD/SMT SOT-323FL-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
Datenblatt
6'131erwartet ab 29.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 8'000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3.8 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 4A Si MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 4A Si MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 570 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 9A Si MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 100 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 83 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 120 nC - 55 C + 150 C 615 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 165 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel