TPSI2260QDWQRQ1

Texas Instruments
595-TPSI2260QDWQRQ1
TPSI2260QDWQRQ1

Herst.:

Beschreibung:
Halbleiterrelais - PCB-Montage Automotive 600V 50m A isolated switch wi

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Gurtabschnitt / MouseReel™
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CHF 2.90 CHF 29.00
CHF 2.69 CHF 67.25
CHF 2.37 CHF 237.00
CHF 2.25 CHF 562.50
CHF 2.02 CHF 1’010.00
CHF 1.71 CHF 1’710.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
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CHF 1.61 CHF 6’440.00
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Texas Instruments
Produktkategorie: Halbleiterrelais - PCB-Montage
Reel
Cut Tape
MouseReel
SMD/SMT
SOIC-11
MOSFET
5 mA
- 40 C
+ 125 C
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Input-Output-Isolierungsmethode: Reinforced Isolation
Isolierungsspannung: 1500 Vrms
On-Widerstand - Max.: 150 Ohms
Pd - Verlustleistung: 30.5 mW
Produkt: Solid State Relay
Produkt-Typ: SSR - Solid State Relays
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Relays
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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

TPSI2260-Q1 Verstärktes Solid-State-Relais

Das verstärkte Solid-State-Relais TPSI2260-Q1 von Texas Instruments ist für Hochspannungs-Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt. Das isolierte Solid-State-Relais implementiert hochzuverlässige, verstärkte kapazitive Isolierungstechnologie, die mit internen Back-to-Back-MOSFETs kombiniert ist, um eine vollständig integrierte Lösung zu bilden, die keine sekundäre Stromversorgung benötigt. Die kapazitive Isolierungstechnologie von TI weist weder mechanischen Verschleiß noch Photodegradation-Fehlermodi auf, die bei mechanischen Relais und Fotorelais üblich sind, wodurch die Zuverlässigkeit des Systems verbessert wird. Die Primärseite des TPSI2260-Q1 zieht nur 5-mA-Eingangsstrom und verfügt über einen ausfallsicheren EN-Pin, der eine Rückspeisung der VDD-Versorgung verhindert. Der VDD-Pin des Bauteils sollte an eine Systemversorgung zwischen 4,5 V und 20 V angeschlossen werden, und der EN-Pin sollte in den meisten Applikationen von einem GPIO-Ausgang mit einem Logikschaltung zwischen 2,1 V und 20 V angesteuert werden. Darüber hinaus können in anderen Applikationen die VDD- und EN-Pins gemeinsam direkt von der Systemversorgung oder von einem GPIO- Ausgang angesteuert werden. Auf der Sekundärseite befinden sich Back-to-Back-MOSFETs mit einer Sperrspannung von ±600 V zwischen S1 bis S2.