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PSMN038-100HSX

Name: Nexperia PSMN038-100HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN038-100HSX
Price: 1.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN038-100HSX

Herst.- Nr.:

PSMN038-100HSX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1205 100V 21.4A

Datenblatt:

PSMN038-100HSX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.69	CHF 1.69
	CHF 1.07	CHF 10.70
	CHF 0.916	CHF 45.80
	CHF 0.718	CHF 71.80
	CHF 0.567	CHF 283.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.411	CHF 616.50
	CHF 0.379	CHF 1’137.00
	CHF 0.364	CHF 1’638.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	37.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	53 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934665468115

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PSMN038 N-Kanal-MOSFET

Der Nexperia PSMN038 N-Kanal-MOSFET ist ein Dual-Standard-Level N-Kanal-MOSFET in einem LFPAK56D (Dual-power-SO8)-Gehäuse. Der Nexperia MOSFET verwendet TrenchMOS-Technologie. Das Bauelement verfügt über einen Drainstrom-IDM mit einem hohen Spitzenwert und einen Clip aus Kupfer mit flexiblen Anschlussdrähten.